[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的分立的堆栈栅极结构以及选择栅极，所述堆栈栅极结构和选择栅极的侧壁上形成有侧墙层；形成覆盖所述堆栈栅极结构和选择栅极的层间介质层；刻蚀所述堆栈栅极结构和选择栅极之间的所述层间介质层，或者刻蚀所述层间介质层和侧墙层，形成开口；在所述开口中形成低K介电层。与所述层间介质层和侧墙层相比，所述低K介电层的介电常数较低，根据电容的计算公式C＝εS/d可知，当所述介电常数降低时，堆栈栅极结构和选择栅极之间的电容耦合效应降低，有利于降低编程电压和抹除电压，提高编程效率和抹除效率，降低器件的功耗。