[发明专利]一种栅控双极-场效应复合碳化硅LDMOS有效
| 申请号： | 201910471436.1 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110212033B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;董自明;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅控双极‑场效应复合碳化硅LDMOS，其衬底为碳化硅材料，基区接触的表面形成基极，基极与源极隔离，与栅极电连接，代替传统的碳化硅LDMOS中基区与源极短接的电极连接方式，满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶体管开启。该结构与传统LDMOS器件相比，在保证器件具有相同击穿电压的同时，大幅度提高器件的导通电流，极大改善碳化硅晶体管的导通性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅控双极 场效应 复合 碳化硅 ldmos | ||
【主权项】：
1.一种栅控双极‑场效应复合碳化硅横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体材料的衬底；在所述衬底上生成的外延层；在所述外延层上形成的基区和漂移区；在所述基区上形成的基区接触和源区以及相应的沟道；在所述漂移区上形成的漏区；栅绝缘层，覆盖所述沟道以及漂移区靠近沟道的部分；栅极，位于栅绝缘层表面；源极，位于源区表面；漏极，位于漏区表面；其特征在于：所述衬底为碳化硅材料，所述的基区接触的表面形成基极，所述基极与源极隔离，与栅极电连接，满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶体管开启。
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