[发明专利]一种栅控双极-场效应复合元素半导体基VDMOS有效
| 申请号： | 201910471455.4 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110212034B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;董自明;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/167;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅控双极‑场效应复合元素半导体基VDMOS。该结构的衬底和外延生成的漂移区均为元素半导体材料，基极与源极隔离，与栅极电连接，基极与栅极之间的连接材料为半导体材料，使得基极接入电压时基极电位大于栅极电位，栅极接入电压时栅极电位大于基极电位，并满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶体管开启。与传统器件相比，本发明在保证器件具有相同击穿电压的同时，大幅度提高了器件的导通电流，降低了器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅控双极 场效应 复合 元素 半导体 vdmos | ||
【主权项】：
1.一种栅控双极‑场效应复合元素半导体基垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体材料的衬底；在所述衬底上外延生成的漂移区；在所述漂移区表面中间区域形成的栅绝缘层；在所述漂移区上部两侧分别形成的两处基区；每一处基区均形成源区以及相应的沟道；源极，位于源区表面；栅极，位于栅绝缘层表面；漏极，位于衬底底部表面；其特征在于：所述衬底和外延生成的漂移区均为元素半导体材料；每一处基区远离沟道的一端还向下深入漂移区形成重掺杂区域；所述的重掺杂区域的表面生成基极，基极与源极隔离，与栅极电连接，满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶体管开启。
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