[发明专利]制备分布布拉格反射镜的方法及垂直腔面发射激光器在审

专利信息
申请号: 201910471488.9 申请日: 2019-05-31
公开(公告)号: CN110190513A 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 赵勇明;杨国文;张艳春;赵卫东 申请(专利权)人: 度亘激光技术(苏州)有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/187;H01S5/30
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 张琳琳
地址: 215125 江苏省苏州市工业园*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及半导体激光器技术领域,具体公开一种分布布拉格反射镜的制备方法及垂直腔面发射激光器,其中,方法包括:GaAs衬底;依次在所述衬底上交替生长第一折射率层以及第二折射率层;其中,所述第一折射率层的晶格常数大于或小于所述衬底的晶格常数,且所述第二折射率层的晶格常数小于或大于所述衬底的晶格常数。本发明通过调整折射率层的材质使得位于衬底的晶格常数位于两层折射率层的晶格常数之间,使得生长在衬底上的第一折射率层以及第二折射率层所受的应变类型不同,因此可以采用应变补偿的方式消除因晶格失配产生的应力,实现无应变分布布拉格反射镜的生长,避免大尺寸外延片翘曲的问题。
搜索关键词: 折射率层 晶格常数 衬底 垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜 制备 半导体激光器 布拉格反射镜 交替生长 晶格失配 应变补偿 应变分布 应变类型 生长 外延片 两层 翘曲
【主权项】:
1.一种制备分布布拉格反射镜的方法,其特征在于,包括:提供GaAs衬底;依次在所述衬底上交替生长第一折射率层以及第二折射率层;其中,所述第一折射率层的晶格常数小于所述衬底的晶格常数,且所述第二折射率层的晶格常数大于所述衬底的晶格常数。
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