[发明专利]倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制备方法在审
| 申请号： | 201910471819.9 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110085719A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 刘岩;闫宝玉;刘鑫;鲁洋;刘宇轩;陈顺利 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/10;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭玮;李双皓 |
| 地址： | 116051 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本申请提供一种倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制备方法。N型金属电极层延伸至N型半导体台阶边缘。发光层、P型半导体层以及透明导电层设置于倒装发光二极管芯片的中间部分，使得Mesa台阶(量子阱)远离芯片边缘。即使当倒装发光二极管芯片的边缘出现裂痕破损，出现锡膏与P或N极连接，也不会导致P型金属电极层与N型金属电极层发生短路，出现漏电失效的情况。通过所述倒装发光二极管芯片制作方法的三次光刻，光刻制程次数减少，可以节约了光刻过程中涉及到的光刻胶、显影液等原料的使用成本，有效改善由于光刻胶残留带来的良率损失。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装发光二极管芯片 制备 光刻胶残留 透明导电层 漏电 次数减少 光刻过程 光刻制程 台阶边缘 芯片边缘 短路 发光层 光刻胶 量子阱 显影液 裂痕 次光 良率 锡膏 破损 节约 延伸 申请 制作 | ||
【主权项】：
1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：衬底(1)；N型半导体层(2)，设置于所述衬底(1)表面，所述N型半导体层(2)远离所述衬底(1)的部分表面依次设置有发光层(8)、P型半导体层(3)和透明导电层(4)；所述N型半导体层(2)的边缘与所述P型半导体层(3)的边缘包围形成N型半导体台阶(9)；分布式布拉格反射层(5)，设置于所述N型半导体台阶(9)边缘和所述透明导电层(4)边缘，且将所述透明导电层(4)边缘、所述P型半导体层(3)边缘和所述发光层(8)边缘覆盖，并露出所述N型半导体台阶(9)中间部分和所述透明导电层(4)中间部分；N型金属电极层(7)，设置于所述N型半导体台阶(9)，且所述N型金属电极层(7)延伸至所述N型半导体台阶(9)边缘，用以实现与所述N型半导体层(2)的电连接；P型金属电极层(6)，设置于所述透明导电层(4)，用以实现与所述P型半导体层(3)的电连接。
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