[发明专利]全垂直型Si基GaN UMOSFET功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910474496.9 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN112018177A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 唐文昕;陈扶;于国浩;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种全垂直型Si基GaN UMOSFET功率器件及其制备方法。所述全垂直型Si基GaN UMOSFET功率器件包括：硅衬底，以及，主要由N |
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| 搜索关键词： | 垂直 si gan umosfet 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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