[发明专利]一种去除InP半导体材料衬底的方法

摘要

本发明公开了一种去除InP半导体材料衬底的方法，属于半导体材料领域。通过化学腐蚀一步到位，可腐蚀高达350μm以上厚度的衬底，其中盐酸和磷酸按照1：1的混合物，且在35℃的条件下腐蚀，对于625μm厚度的InP半导体材料衬底腐蚀时间缩短了将近10h，大大提高了生产效率；减少被腐蚀的半导体材料的机械损伤和应力，免去了传统的物理去除、机械去除和化学腐蚀相互结合的繁琐制作工艺，使去除衬底更加简单快速，切实降低了产品的报废率并提升了成品率和器件的优良品质。

主权项

1.一种去除InP半导体材料衬底的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)配制腐蚀液，所述腐蚀液包括盐酸和磷酸按照1：(0.5‑1.6)的混合物；(2)将含有≥350μm厚度衬底的半导体材料放置于腐蚀液中，保持腐蚀液温度为26‑42℃；(3)腐蚀过程中每隔0.5‑1.5小时将半导体材料从腐蚀液中取出，用去离子水冲洗腐蚀液并吹干，再通过台阶仪检测衬底材料的厚度，然后放置于腐蚀液中继续腐蚀至衬底材料全部去除。