[发明专利]一种硅块的处理方法和处理装置在审
| 申请号： | 201910475524.9 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110158155A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 宮尾秀一 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅块的处理方法和处理装置，硅块的处理方法包括：在对硅块表面进行酸蚀刻之前，将所述硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽中，以去除所述硅块表面的硅烷醇基。根据本发明的硅块的处理方法，在对硅块表面进行酸蚀刻之前，将硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽中，以去除硅块表面的硅烷醇基，避免硅烷醇基对后续刻蚀的影响，减少对刻蚀工序中刻蚀液的影响，延长刻蚀液的使用时间，减少刻蚀液的更换次数，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅块 硅块表面 硅烷醇基 刻蚀液 处理装置 硝酸溶液 乙酸溶液 清洗槽 酸蚀刻 去除 刻蚀工序 生产效率 刻蚀 | ||
【主权项】：
1.一种硅块的处理方法，其特征在于，包括：在对硅块表面进行酸蚀刻之前，将所述硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽中，以去除所述硅块表面的硅烷醇基。
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