[发明专利]一种微晶玻璃的晶化方法及其装置

摘要

本发明公开了一种微晶玻璃的晶化方法及其装置，晶化方法包括：熔化、压延成型、辊道核化、锡池晶化、辊道退火和切割下片，晶化装置包括锡池过砖梁、锡池顶盖砖、加热元件、升降装置、锡池、前过渡辊道和后过渡辊道，升降装置一端固定安装横梁底部，另一端与锡池顶盖砖连接，锡池顶盖砖底部连接有加热元件，加热元件下方设有晶化锡池，晶化锡池包括锡池池底砖、锡池池壁砖和锡池胸墙，前过渡辊道和后过渡辊道分别设于锡池两侧。本发明的三步加热熔化法和三步压延成型法，对玻璃板的透亮度、韧性、抗压强度、抗裂能力均有很大地提升；采用辊道核化，方便玻璃板高温传送，有利于玻璃板的均匀受热；锡池晶化，提升了微晶玻璃薄板的表面的平整性。

主权项

1.一种微晶玻璃的晶化方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）熔化：将搅拌均匀后的配合料高温加热至450~550℃，保持1~2小时，然后再加热至900~1000℃，保持1~2小时，最后升温至1520~1620℃进行熔融，保持2~3小时，得到熔融的微晶玻璃液；（2）压延成型：将上述微晶玻璃液冷却至1150~1200℃，再送入压延机进行三次压延成型，950~1050℃的温度下进行一次压延，850~900℃的温度下进行二次压延，750~800℃的温度下进行三次压延；（3）辊道核化：将上述微晶玻璃送入第一辊道窑，在第一辊道窑内冷却降温至700~750℃，保持1~2小时，再送入第二辊道窑，进行核化处理，核化温度为620~660℃，保持1~2小时，最后送入第三辊道窑，进行晶化前升温处理，加热升温至720~800℃，保持2~3小时；（4）锡池晶化：将上述微晶玻璃板送入晶化锡池进行晶化，晶化锡池初段温度控制在950~1000℃，晶化锡池中段温度控制在1150~1200℃，晶化锡池末段温度控制在800~860℃；（5）辊道退火：将上述晶化后的微晶玻璃板送入第四辊道窑，进行退火降温处理；（7）切割下片：将退火后的微晶玻璃板进行切裁，得到成品微晶玻璃板。