[发明专利]半导体器件隔离侧墙厚度计算方法及其计算系统有效
| 申请号： | 201910476089.1 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110287547B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 张乐成;祁鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件隔离侧墙厚度计算方法，包括计算量产半导体器件产品表面积；建立第一线性模型和第二线性模型；通过第一线性模型获得位于晶舟底部的待产半导体器件产品隔离侧墙厚度；通过第二线性模型获得位于晶舟底部和顶部待产半导体器件产品隔离侧墙厚度差值；建立第三线性模型；通过第三线性模型计算出晶舟剩余位置隔离侧墙厚度值。本发明还公开了一种半导体器件隔离侧墙厚度计算系统。本发明能准确计算待产半导体器件产品隔离侧墙厚度的半导体器件隔离侧墙厚度，缩短产线隔离侧墙厚度调整周期，提高生产效率低，避免浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 隔离 厚度 计算方法 及其 计算 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件隔离侧墙厚度计算方法，其特征在于，包括以下步骤：1)计算量产半导体器件产品表面积；2)将量产半导体器件产品表面积与隔离侧墙厚度建立第一线性模型；3)计算控片顶部隔离侧墙和其底部隔离侧墙厚度的差值，将量产半导体器件产品表面积与所述差值建立第二线性模型；4)计算待产半导体器件产品表面积；5)将待产半导体器件产品表面积代入第一线性模型获得位于晶舟底部的待产半导体器件产品隔离侧墙厚度；6)将待产半导体器件产品表面积代入第二线性模型获得位于晶舟底部和顶部待产半导体器件产品隔离侧墙厚度差值；7)将晶舟底部和顶部待产半导体器件产品隔离侧墙厚度差值与待产半导体器件产品在晶舟中的位置高度形成第三线性模型；8)待产半导体前产品在晶舟中的位置高度代入第三线性模型计算出晶舟剩余位置隔离侧墙厚度值。
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