[发明专利]侧墙的制造方法

摘要

本发明公开了一种侧墙的制造方法，包括步骤：步骤一、形成栅介质层和多晶硅栅，在多晶硅栅的顶部表面形成有氮化硅组成的硬质掩模层；步骤二、采用原子层沉积工艺形成第二氮化硅层；步骤三、采用离子注入工艺进行氮化硅的修饰处理，多晶硅栅的侧面的第二氮化硅层保持为未被修饰处理；步骤四、采用DHF去除被修饰处理的氮化硅，未被修饰处理的氮化硅保留在多晶硅栅的侧面形成第一层侧墙。本发明能对多晶硅栅侧面外的采用ALD沉积的氮化硅进行很好的去除，避免在多晶硅栅顶部形成氮化硅侧墙围栏。

主权项

1.一种侧墙的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成栅介质层和多晶硅栅，在所述多晶硅栅的顶部表面形成有由第一氮化硅层组成的硬质掩模层；步骤二、采用原子层沉积工艺形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖在所述多晶硅栅的侧面和所述多晶硅栅外部的所述半导体衬底表面以及包覆在所述硬质掩模层的顶部表面和侧面；步骤三、采用离子注入工艺进行氮化硅的修饰处理，被修饰处理的氮化硅包括所述多晶硅栅外部的所述半导体衬底表面的所述第二氮化硅层和所述多晶硅栅顶部的所述硬质掩模层以及包覆在所述硬质掩模层顶部表面和侧面的所述第二氮化硅层；所述多晶硅栅的侧面的所述第二氮化硅层保持为未被修饰处理；所述被修饰处理的氮化硅能被DHF去除，未被修饰处理的氮化硅不能被DHF去除；步骤四、采用DHF去除所述被修饰处理的氮化硅，所述未被修饰处理的氮化硅保留在所述多晶硅栅的侧面形成第一层侧墙，所述第一层侧墙的顶部表面低于等于所述多晶硅栅的顶部表面，从而消除由于所述第一层侧墙突出到所述多晶硅栅的顶部表面而形成的围栏结构。