[发明专利]用于感测电阻可变存储器单元的设备和方法在审

专利信息
申请号: 201910476576.8 申请日: 2014-04-15
公开(公告)号: CN110097910A 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: 费迪南多·贝代斯基;罗伯托·加斯塔尔迪 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;G11C11/16
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及用于感测电阻可变存储器单元的设备和方法。本发明包含用于感测电阻可变存储器单元的设备及方法。若干个实施例包含将存储器单元编程为初始数据状态且通过以下操作而确定所述存储器单元的数据状态:将编程信号施加到所述存储器单元,所述编程信号与将存储器单元编程为特定数据状态相关联;及确定在施加所述编程信号期间所述存储器单元的所述数据状态是否从所述初始数据状态改变为所述特定数据状态。
搜索关键词: 存储器单元 数据状态 可变存储器 编程信号 感测电阻 初始数据状态 编程 施加 关联
【主权项】:
1.一种设备,其包括:电阻可变存储器单元的阵列(100);以及控制器(412),其耦合到所述阵列且经配置以控制:通过以下操作而确定存储器单元(106)的数据状态:将编程信号施加到所述存储器单元(222),所述编程信号与将存储器单元编程为特定数据状态相关联;将在将所述编程信号施加到所述存储器单元时在第一时间周期期间关联于所述存储器单元的信号与在将所述编程信号施加到所述存储器单元时在第二时间周期期间关联于所述存储器单元的信号进行比较(226);以及确定在施加所述编程信号期间所述存储器单元的所述数据状态是否从初始数据状态改变为所述特定数据状态(228,230,232)。
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