[发明专利]超结场效应晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201910476806.0 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN112038391A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 刘龙平 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;G03F7/16;G03F7/38;G03F7/40 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结场效应晶体管的制作方法，对所述超结场效应晶体管的光刻胶层进行曝光显影处理，以在所述光刻胶层上形成曝光窗口，所述曝光窗口的坡度为85°～88°。本发明在制作超结场效应晶体管时提高了光刻胶层的曝光窗口的坡度，通过对P柱曝光窗口形貌的改变，使P柱离子注入边界更为靠近完全曝光区域，有效减小斜坡光刻胶对注入剂量的影响，进而使P柱离子剂量大小均匀，实现对击穿电压更为精确的控制。该制作方法最终得到超结场效应晶体管器件的击穿电压在750V～780V左右范围，大幅改善了击穿电压在片内的均匀性，实现器件良率从58％左右提升到90％以上，满足了大规模生产要求。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
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