[发明专利]一种硅片中重金属的处理分析方法及处理装置在审
| 申请号： | 201910477207.0 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110186994A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 宮尾秀一;张婉婉 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/62 | 分类号： | G01N27/62;G01N1/28;G01N1/34;G01N1/44 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅片中重金属的处理分析方法及处理装置，处理分析方法包括以下步骤：在结晶方位上对待处理硅片进行切割，得到包括检测区域的样品硅片；对样品硅片的表面进行清洗；将清洗后的样品硅片置于硝酸和氢氟酸的混合蒸汽中进行溶解，得到样品硅片处理液。本发明的处理分析方法中，在结晶方位上对待处理硅片进行切割，得到包括检测区域的样品硅片，对样品硅片的表面进行清洗，将清洗后的样品硅片置于硝酸和氢氟酸的混合蒸汽中进行溶解，得到样品硅片处理液，通过上述方法能够减少硅片的污染，便于后续硅片分析时提高检测结果的精确度，减少硝酸和氢氟酸的用量，不需要高纯度的硝酸和氢氟酸，降低成本，简化分析操作过程，效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 硝酸 氢氟酸 清洗 处理装置 硅片处理 混合蒸汽 检测区域 结晶方位 分析 重金属 切割 溶解 分析操作过程 检测结果 高纯度 污染 | ||
【主权项】：
1.一种硅片中重金属的处理分析方法，其特征在于，包括以下步骤：在结晶方位上对待处理硅片进行切割，得到包括检测区域的样品硅片；对所述样品硅片的表面进行清洗；将清洗后的所述样品硅片置于硝酸和氢氟酸的混合蒸汽中进行溶解，得到样品硅片处理液。
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