[发明专利]一种根据规则添加SRAF的方法有效
申请号: | 201910477251.1 | 申请日: | 2019-06-03 |
公开(公告)号: | CN110187600B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 高澎铮;韦亚一;张利斌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76;G03F1/38;G03F7/20 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种根据规则添加SRAF的方法,涉及半导体技术领域,可提高光刻分辨率。该方法包括:获取目标图形,并确定投影区域;根据投影区域选择SRAF规则,并基于SRAF规则在投影区域中添加第一亚分辨率辅助图形;对第一亚分辨率辅助图形进行冲突清理;根据子目标图形的位置、子目标图形的线宽、子目标图形与待形成的第二亚分辨率辅助图形之间的第二预设距离、待形成的第二亚分辨率辅助图形的线宽、以及待形成的第二亚分辨率辅助图形与第一亚分辨率辅助图像之间的第三预设距离,确定生长区域;去除第一亚分辨率辅助图形中位于生长区域的部分;根据子目标图形的位置、以及子目标图形的线宽,在生长区域内形成所述第二亚分辨率辅助图形。 | ||
搜索关键词: | 一种 根据 规则 添加 sraf 方法 | ||
【主权项】:
1.一种根据规则添加SRAF的方法,其特征在于,包括:获取目标图形,并确定投影区域;所述目标图形包括多个子目标图形;根据所述投影区域选择SRAF规则,并基于所述SRAF规则在所述投影区域中添加第一亚分辨率辅助图形;对所述第一亚分辨率辅助图形进行冲突清理,以使得沿与所述子目标图形的延伸方向垂直的方向错开第一预设距离以内的多个所述第一亚分辨率辅助图形重排至同一竖直线上;根据所述子目标图形的位置、所述子目标图形的线宽、所述子目标图形与待形成的第二亚分辨率辅助图形之间的第二预设距离、待形成的所述第二亚分辨率辅助图形的线宽、以及待形成的所述第二亚分辨率辅助图形与所述第一亚分辨率辅助图像之间的第三预设距离,确定生长区域;所述生长区域位于所述子目标图形的两端、且和与其对应的所述子目标图形邻接;去除所述第一亚分辨率辅助图形中位于所述生长区域的部分;根据所述子目标图形的位置、以及所述子目标图形的线宽,在所述生长区域内形成所述第二亚分辨率辅助图形;每个所述生长区域内设有一个所述第二亚分辨率辅助图形;每个所述第二亚分辨率辅助图形与所述子目标图形的一端对应,所述第二亚分辨率辅助图形和与其对应的所述子目标图形的一端正对设置,且其延伸方向和与其对应的所述子目标图形的一端的线宽方向平行;所述第二分辨率辅助图形和与其对应的所述子目标图形正对设置。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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