[发明专利]一种堆叠结构的智能功率模块及其制造方法有效
申请号: | 201910477626.4 | 申请日: | 2019-06-03 |
公开(公告)号: | CN110148566B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 敖利波;史波;曾丹;廖勇波 | 申请(专利权)人: | 珠海零边界集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/495;H01L25/04 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;何娇 |
地址: | 519360 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供了一种堆叠结构的智能功率模块,包括引线框架、第一芯片、第二芯片、第三芯片、连接桥和包封体。第一芯片设置在引线框架上,其包括导电层、设置在导电层下方的非功能层、以及容置在非功能层下部的功能层,其中,非功能层设有导电孔,导电孔用于将导电层和功能层电性连接,并且导电孔用于将导电层与引线框架电性连接;第二芯片和第三芯片均设置在第一芯片的上方,且第二芯片和第三芯片均与第一芯片的导电层电性连接;连接桥与第二芯片和第三芯片以及导电层电性连接;包封体用于封装第一芯片、第二芯片、第三芯片和连接桥以及部分引线框架。本申请降低了智能功率模块的占板面积。 | ||
搜索关键词: | 一种 堆叠 结构 智能 功率 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种堆叠结构的智能功率模块,其特征在于,所述堆叠结构的智能功率模块包括:引线框架;第一芯片,其设置在所述引线框架上,所述第一芯片包括导电层、设置在所述导电层下方的非功能层、以及容置在所述非功能层下部的功能层,其中,所述非功能层设有导电孔,所述导电孔用于将所述导电层和所述功能层电性连接,并且所述导电孔用于将所述导电层与所述引线框架电性连接;第二芯片和第三芯片,所述第二芯片和所述第三芯片均设置在所述第一芯片的上方,且所述第二芯片和所述第三芯片均与所述导电层电性连接;连接桥,其与所述第二芯片和所述第三芯片以及所述导电层电性连接;包封体,其用于封装所述第一芯片、所述第二芯片、所述第三芯片和所述连接桥以及部分所述引线框架。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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