[发明专利]一种直接在晶圆片上沉积过渡衬底薄膜的CSP器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种直接在晶圆片上沉积过渡衬底薄膜的CSP器件及其制备方法。所述制备方法包括：将放置了晶圆的载板装置放入PECVD设备反应腔室内，抽空，升温；连通射频电源，将晶圆片倒置，通入反应气体；将晶圆片正置，镀上金属电极，然后在出光面涂覆一层荧光胶。得到所述CSP器件。本发明还设计了上述的载板装置，其包括载板主体、模具单元和隔模板；载板主体上设有电极层，所述的模具单元和隔膜板内嵌在载板主体内；模具单元外部是于载板主体相贴合，叠置在一起。本发明提供的制备方法，能避免MCPCB板对芯片应力传递，引起外延层裂纹的问题，能防止在所沉积的薄膜覆盖晶圆片的电极。

主权项

1.一种直接在晶圆片上沉积过渡衬底薄膜的CSP器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将已放置晶圆的载板装置放入PECVD设备的反应腔室内，抽真空，升温后在沉积过程中维持温度恒定；（2）将PECVD设备以及晶圆载板装置连通中频或者射频电源；（3）将晶圆片倒置，持续通入惰性气体和反应气体，得到镀上薄膜的晶圆片；（4）关闭所述中频或者射频电源，停止通入反应气体，取出步骤（3）所述镀上薄膜的晶圆片；（5）将镀上薄膜的晶圆片正置，镀上金属电极，然后涂覆一层荧光胶；（6）将镀上金属电极的晶圆片切割成单个CSP器件，得到所述直接在晶圆片上沉积过渡衬底薄膜的CSP器件。