[发明专利]半导体封装、堆叠封装器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910479544.3 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110581119A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李锡贤;吴琼硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 杨姗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可以提供一种半导体封装，包括：封装衬底；半导体芯片，在封装衬底的第一表面上；连接衬底，在封装衬底上，与半导体芯片间隔开并围绕半导体芯片，连接衬底包括穿透连接衬底的多个导电连接结构；多个第一连接元件，在半导体芯片与封装衬底之间，并且将半导体芯片电连接至封装衬底；多个第二连接元件，在连接衬底与封装衬底之间，并且将连接衬底电连接至封装衬底；模具层，包封半导体芯片和连接衬底；以及上部再分布图案，在模具层和半导体芯片上，并且电连接至多个导电连接结构中的相应导电连接结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 衬底 导电连接结构 电连接 连接元件 模具层 半导体封装 第一表面 再分布 包封 穿透 图案 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装，包括：/n第一封装衬底；/n第一半导体芯片，在所述第一封装衬底的第一表面上；/n多个第一连接元件，在所述第一半导体芯片与所述第一封装衬底之间，所述多个第一连接元件将所述第一半导体芯片电连接至所述第一封装衬底；/n连接衬底，在所述第一封装衬底上，所述连接衬底与所述第一半导体芯片间隔开并围绕所述第一半导体芯片，所述连接衬底包括：/n顺序堆叠的两个或更多个绝缘层；以及/n多个导电结构，所述多个导电结构中的每个导电结构至少包括两个或更多个连接通道部分、以及彼此电连接的两个或更多个连接导电图案部分，所述两个或更多个连接通道部分分别穿透所述两个或更多个绝缘层中的相应绝缘层，所述两个或更多个连接导电图案部分分别在所述两个或更多个绝缘层中的相应绝缘层上；/n多个第二连接元件，在所述连接衬底与所述第一封装衬底之间，所述多个第二连接元件将所述连接衬底电连接至所述第一封装衬底；/n模具层，包封所述第一半导体芯片和所述连接衬底；以及/n上部再分布图案，在所述模具层和所述第一半导体芯片上，所述上部再分布图案包括再分布通道部分以及再分布导电图案部分，所述再分布通道部分穿透所述模具层并电连接至所述多个导电结构中的相应导电结构，所述再分布导电图案部分在所述模具层上并连接至所述再分布通道部分。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910479544.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
