[发明专利]电子装置和半导体封装结构的制造方法在审

申请号：	201910480090.1	申请日：	2019-06-04
公开（公告）号：	CN110739222A	公开（公告）日：	2020-01-31
发明（设计）人：	方绪南;陈建庆	申请（专利权）人：	日月光半导体制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/48	分类号：	H01L21/48;H01L21/56;H01L23/485;H01L21/60
代理公司：	11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人：	蕭輔寬
地址：	中国台湾高雄市楠梓***	国省代码：	中国台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	一种电子装置包括绝缘层、金属层和至少一个电连接元件。所述绝缘层具有顶面和与所述顶面相对的底面，并且界定开口，所述开口延伸于所述顶面和所述底面之间。所述金属层设置于所述绝缘层的所述开口中，并且具有顶面和与所述顶面相对的底面。所述金属层的所述底面与所述绝缘层的所述底面实质上共平面。所述电连接元件通过晶种层附接到所述金属层的所述底面。
搜索关键词：	底面绝缘层顶面金属层电连接元件开口电子装置共平面晶种层界定延伸
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【主权项】：

1.一种半导体封装结构的制造方法，包括：/n(a)提供载体，所述载体具有第一表面，并在所述第一表面上界定多个开口；/n(b)形成导电材料于所述载体的所述开口中；/n(c)形成布线结构于所述载体和所述导电材料上；/n(d)电连接至少一个半导体裸片于所述布线结构；/n(e)形成封装体以覆盖所述至少一个半导体裸片；和/n(f)移除所述载体。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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