[发明专利]一种低结电容特性太赫兹肖特基二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种低结电容特性太赫兹肖特基二极管及其制作方法。本发明所提供的肖特基接触金属与材料之间形成的肖特基结对二维电子气有耗尽作用，且刻蚀的半通孔刻蚀至沟道层，并刻蚀断沟道层的二维电子气，通过空气桥连通第一凸面上的肖特基接触金属与第二凸面上的欧姆接触金属，二维电子气与肖特基接触金属之间的正对面积很小，电容非常小，相比肖特基接触金属完全覆盖在材料表面的器件电容小很多，且不会发生电阻的改变，能够获得更高的截止频率；采用该低结电容特性太赫兹肖特基二极管制成的混频倍频器能实现太赫兹波段的频谱接收检测功能，用于优良的太赫兹源及太赫兹接收器。

主权项

1.一种低结电容特性太赫兹肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底、应力缓冲层、沟道层、凸面以及空气桥；所述衬底、所述应力缓冲层、所述沟道层自下而上依次设置，所述凸面设于所述沟道层的上表面，所述凸面包括第一凸面以及第二凸面；所述第一凸面与所述第二凸面之间设有间隙；所述第一凸面包括第一势垒层以及第一盖帽层；所述第一势垒层设于所述沟道层的上表面，所述第一盖帽层设于所述第一势垒层的上表面；所述第一凸面上刻蚀有半通孔；所述半通孔穿透所述第一势垒层以及所述第一盖帽层，且刻蚀至所述沟道层，并刻蚀断所述沟道层的二维电子气；所述第一盖帽层上涂覆有欧姆接触金属以及肖特基接触金属；所述欧姆接触金属与所述肖特基接触金属之间设有沟道；所述肖特基接触金属还涂覆于所述半通孔的内壁与底部；所述第二凸面包括第二势垒层以及第二盖帽层；所述第二势垒层设于所述沟道层的上表面，所述第二盖帽层设于所述第二势垒层的上表面；所述第二盖帽层上涂覆有欧姆接触金属；所述空气桥为指状空气桥，所述指状空气桥包括固定端以及连接臂；所述固定端与所述连接臂固定连接；所述连接臂上设有连接柱；所述固定端设于所述第二凸面上，所述连接臂延伸至所述第一凸面上，且所述连接柱与所述半通孔相匹配，所述连接臂直接与所述沟道层的二维电子气相接触。