[发明专利]一种调控焊锡接头晶粒取向及组织的焊接工艺在审
| 申请号： | 201910480580.1 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110193642A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 马兆龙;李策;程兴旺 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | B23K1/00 | 分类号： | B23K1/00;B23K1/08;B23K1/20 |
| 代理公司： | 北京理工正阳知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 | 代理人： | 王松 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种调控焊锡接头晶粒取向及组织的焊接工艺，该工艺包括如下步骤：步骤一、通过物理、化学或电化学方法在PCB板焊盘位置沉积一层单晶金属材料或在晶圆表面生长单晶金属材料凸点；步骤二、去除在单晶金属材料表面的氧化物和有机污染物；步骤三、采用钎焊技术将锡基焊料焊接在单晶金属材料上，即制备出具有特定晶粒取向及组织的焊锡接头。本发明的焊接工艺，由于焊锡接头晶粒取向及组织得到了有效控制，其可靠性将得到极大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒取向 焊接工艺 单晶 焊锡 金属材料 金属材料表面 有机污染物 电化学 焊盘位置 晶圆表面 钎焊技术 锡基焊料 有效控制 氧化物 调控 凸点 沉积 去除 制备 焊接 生长 | ||
【主权项】：
1.一种调控焊锡接头晶粒取向及组织的焊接工艺，其特征是包括如下步骤：步骤一、通过物理、化学或电化学方法在PCB板焊盘位置沉积一层单晶金属材料或在晶圆表面生长单晶金属材料凸点；步骤二、去除在单晶金属材料表面的氧化物和有机污染物；步骤三、采用钎焊技术将锡基焊料焊接在单晶金属材料上，即制备出具有特定晶粒取向及组织的焊锡接头；所述步骤一中的在PCB板焊盘位置沉积一层单晶金属，其面积应覆盖整个焊盘，其厚度不能小于1um。
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