[发明专利]一种利用氧化铝介电薄膜层诱导铪锆氧薄膜铁电性的方法

摘要

本发明涉及一种利用Al2O3介电薄膜层诱导HfxZr1‑xO2薄膜铁电性的方法。所述方法包括以下步骤：步骤A在HfxZr1‑xO2薄膜层上制备Al2O3介电薄膜层；步骤B高退火速率热处理。该方法其制备方法工艺简单，成本低廉，可重复性好。本发明还涉及一种铁电薄膜、及铁电薄膜器件、及其制备方法。所述铁电薄膜包括层叠设置的第一电极层、HfxZr1‑xO2薄膜层和Al2O3介电薄膜层，所述铁电薄膜器件包括层叠设置的半导体衬底、第一电极层、HfxZr1‑xO2薄膜层、Al2O3介电薄膜层和顶层电极层，两种结构的制备方法都是通过在HfxZr1‑xO2薄膜上制备Al2O3介电薄膜，在高退火速率热处理过程中Al2O3介电薄膜诱导HfxZr1‑xO2薄膜择优取向生长，优化铁电性。其制备方法工艺简单，可重复性好，为后续制备铁电场效应晶体管提供了便利。