[发明专利]形成集成电路装置的方法有效
| 申请号： | 201910482441.2 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110931352B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 潘瑞彧;曾国权;曾李全;陈盈桦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭示内容涉及集成电路装置的制造制程。提供了一种自对准双图案化方法。在该方法中，在形成间隔物于心轴旁边之后并在剥离心轴之前，执行用于线切割的微影制程，以决定线末端的位置。使用由心轴材料和间隔物材料所制成的标记，来对准用于线切割的蚀刻光罩与心轴和间隔物层。相较于先前的方法(在心轴移除之后执行线切割制程)，在此公开的方法中，线末端遮罩由心轴材料和间隔物材料所制成，与仅由间隔物材料制成的标记相比更容易分辨。因此，本方法为线切割光微影和线末端遮罩的精确定位提供稳健的光学对准信号。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成电路 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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