[发明专利]基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管在审
| 申请号： | 201910482541.5 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110459591A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 吉娜;程庆苏;渠开放;王伟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L29/78 |
| 代理公司： | 32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 柏尚春<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 210003江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管，由顶栅、底栅、上层二氧化硅、黑亚磷、源极、漏极、下层二氧化硅组成；所述的顶栅位于上层二氧化硅上端，底栅位于下层二氧化硅下端，黑亚磷同质结位于上层二氧化硅与下层二氧化硅之间，源极及漏极分别位于上层二氧化硅与下层二氧化硅区间的左侧和右侧；垂直黑亚磷隧穿场效应管不但能满足国际半导体技术发展路线图低于10nm规模的高功耗的要求，也能满足低功耗应用的要求，并加速基于分层黑亚磷同质结二维隧穿场效应管的实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 亚磷 下层 同质结 上层 场效应管 底栅 顶栅 漏极 隧穿 源极 垂直 二氧化硅组成 路线图 低功耗应用 国际半导体 隧穿晶体管 技术发展 高功耗 上端 二维 分层 下端 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管，其特征在于：由顶栅(1)、底栅(2)、上层二氧化硅(3)、黑亚磷(4)、源极(5)、漏极(6)、下层二氧化硅(7)组成；所述的顶栅(1)位于上层二氧化硅(3)上端，底栅位于下层二氧化硅(7)下端，黑亚磷(4)同质结位于上层二氧化硅(3)与下层二氧化硅(7)之间，源极(5)及漏极(6)分别位于上层二氧化硅(3)与下层二氧化硅(7)区间的左侧和右侧。/n
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