[发明专利]一种利用磁隧道结磁电阻测量温度的方法

摘要

本发明公开了一种利用磁隧道结（MTJ）磁电阻精确测量温度的方法，包括以下步骤：利用电阻加热平台，测量磁隧道结磁电阻随着温度的变化曲线，计算得到温度电阻系数；通过测量磁隧道结磁电阻信号，利用获得的温度电阻系数，将电阻变化信号转化为温度信号；本发明可用于环境温度的监测，也适于其他加热条件，例如激光加热。本发明以纳米级磁隧道结作为测温元器件，利用其磁电阻随着温度的变化关系，测温范围广，测量准确度高，响应时间快，抗干扰性能好，操作简单，同时磁隧道结非常小，适合将磁隧道结制作成具有高空间分辨率的温度传感器，应用广泛。

主权项

1.一种利用磁隧道结磁电阻测量温度的方法, 其特征在于磁隧道结（MTJ）的结构主要包括：氧化镁或者氧化铝为绝缘层，CoFeB为磁性自由层和参考层，以CoFe为反铁磁层，以及保护层和连接层，保护层其特征在于，以Ru, Ta, Cu等的一层或多层作为保护层，连接层其特征在于，以Cu, Ta和CuN等的一层或多层作为连接层；所述磁隧道结的形状为椭圆形或者方形，其特征在于大小为50 nm×100 nm到200 nm×600 nm。