[发明专利]一种半导体TSV结构的制造工艺方法及半导体TSV结构有效
| 申请号： | 201910485230.4 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110277348B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李航;孙晨;于连忠 | 申请（专利权）人： | 浙江芯动科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造工艺技术领域，尤其涉及一种半导体TSV结构的制造工艺方法及其半导体TSV结构，该方法包括：在硅片正面刻蚀正面环状间隙，所述正面环状间隙包括内壁、外壁，所述外壁或所述内壁包括一个以上的由上至下向相对侧壁的方向凸起的结构，所述环状间隙包围的硅片部分作为导电结构；在所述正面环状间隙的内壁和外壁生长绝缘层，由于利用刻蚀大间隙的槽的刻蚀深度来刻蚀形成带凸起结构的环状间隙，不仅可以降低单独刻蚀小间隙槽中深度比限制的难度，而且可以利用形成的小间隙槽来减小深孔填充的难度，在提高刻蚀效率的同时也提高了填充效率，进而提高半导体TSV结构的加工效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 tsv 结构 制造 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体TSV结构的制造工艺方法，其特征在于，包括：在硅片正面刻蚀正面环状间隙，所述正面环状间隙包括内壁、外壁，所述外壁或所述内壁包括一个以上的由上至下向相对侧壁的方向凸起的结构，所述环状间隙包围的硅片部分作为导电结构；在所述正面环状间隙的内壁和外壁生长绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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