[发明专利]一种DDD UHV MOS器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910486636.4 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110148564A | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 田武;许文山;孙超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种DDD UHV MOS器件结构及其制造方法，在衬底上可以形成有栅极，在栅极两侧的衬底中形成有浅掺杂区，在浅掺杂区可以形成源漏区，源漏区可以形成金属硅化物层，这样在源漏区与外围电路中的接触塞连接时，在确保UHV高的击穿电压的同时，金属硅化物层可以与源漏区形成良好接触，降低接触塞和源漏之间的接触电阻，从而降低器件的整体功耗，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 源漏区 金属硅化物层 浅掺杂区 接触塞 衬底 击穿电压 降低器件 接触电阻 良好接触 器件性能 外围电路 整体功耗 源漏 制造 申请 | ||
【主权项】：
1.一种DDD UHV MOS器件结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极，在所述栅极两侧的衬底中形成有浅掺杂区；在所述浅掺杂区形成源漏区；在所述源漏区形成金属硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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