[发明专利]硒硫化锑电池组件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910487005.4 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110459619A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京格兰泽光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 33231 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王健<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 210019江苏省南京市建邺区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种适用于大面积硒硫化锑电池制备的硒硫化锑电池组件及其制备方法，可以有效减小各串联节之间的电阻。为实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：一种硒硫化锑电池组件，包括依次层叠的基底、TCO导电层、前电性传输层、硒硫化锑层、后电性传输层及背电极层，所述TCO导电层被多个相互平行的第一切割槽分割，所述第一切割槽被所述硒硫化锑层填充，所述硒硫化锑电池组件还包括平行设于第一切割槽旁边的第二切割槽，所述第二切割槽分割所述后电性传输层、硒硫化锑层和前电性传输层，所述背电极层填充所述第二切割槽并与TCO导电层连接，其中所述第二切割槽的底面包括位于所述TCO导电层上表面的多个凹型曲面。 | ||
| 搜索关键词： | 切割槽 硒硫化 电性传输 电池组件 锑层 背电极层 填充 平行 凹型曲面 电池制备 依次层叠 上表面 分割 底面 电阻 基底 减小 制备 串联 | ||
【主权项】：
1.一种硒硫化锑电池组件，包括依次层叠的基底、TCO导电层、前电性传输层、硒硫化锑层、后电性传输层及背电极层，所述TCO导电层被多个相互平行的第一切割槽分割，所述第一切割槽被所述硒硫化锑层填充，所述硒硫化锑电池组件还包括平行设于第一切割槽旁边的第二切割槽，所述第二切割槽分割所述后电性传输层、硒硫化锑层和前电性传输层，所述背电极层填充所述第二切割槽并与TCO导电层连接，其特征在于：/n所述第二切割槽的底面包括位于所述TCO导电层上表面的多个凹型曲面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
