[发明专利]一种柔性SOI器件结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种柔性SOI器件结构及其制备方法，该结构自下而上依次包括：柔性衬底；第一背栅区、第二背栅区以及背栅间隔离部；绝缘埋层；位于绝缘埋层上方的第一有源区、第二有源区，以及器件隔离部，该第一、第二有源区分别包括：栅区、位于栅区下的体区、以及分别位于体区横向两端的源极和漏极；位于最上方的层间介质层；以及依次贯穿层间介质层、器件隔离部以及绝缘埋层的接触孔，接触孔中填充导电材料形成接触部，通过接触部对第一背栅区和第二背栅区施加偏压；其中，第一背栅区和第二背栅区通过背栅间隔离部彼此电隔离。本发明通过增加背栅间隔离部，实现背栅器件的独立调制，同时本发明还实现了该柔性SOI器件结构的柔性化制备。

主权项

1.一种柔性SOI器件结构，其特征在于，所述柔性SOI器件结构自下而上依次包括：柔性衬底；位于所述柔性衬底上方的第一背栅区、第二背栅区以及背栅间隔离部；位于所述第一背栅区、第二背栅区以及背栅间隔离部上方的绝缘埋层；位于所述绝缘埋层上方的第一有源区、第二有源区，以及位于所述第一、第二有源区外端以及两者之间的器件隔离部，所述第一、第二有源区分别包括：栅区、位于栅区下的体区、以及分别位于所述体区横向两端的源极和漏极；位于最上方的填充所述栅区之间的间隙的层间介质层；以及依次贯穿所述层间介质层、器件隔离部以及绝缘埋层的接触孔，所述接触孔的底部分别抵接第一背栅区、第二背栅区的上表面，所述接触孔中填充导电材料形成接触部，通过所述接触部对所述第一背栅区和第二背栅区施加偏压；其中，所述第一背栅区和所述第二背栅区通过背栅间隔离部彼此电隔离。