[发明专利]存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 201910489911.8 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN112054026A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 王连红 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/367;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种存储器及其形成方法，所述存储器包括：第一基底，所述第一基底包括第一衬底、形成于所述第一衬底正面上的存储阵列以及覆盖所述存储阵列的第一介质层；第二基底，所述第二基底包括第二衬底、形成于所述第二衬底正面上的逻辑电路以及覆盖所述逻辑电路的第二介质层；金属散热线，形成于所述第一介质层和/或第二介质层内；所述第一基底和第二基底堆叠键合连接。所述存储器的存储密度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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