[发明专利]一种二维高导电率氢化NbSe2

摘要

本发明提供了一种二维高导电率氢化NbSe2纳米片的制备方法，包括：将层状NbSe2块材浸入锂源溶液反应，得到前驱物LixNbSe2；将LixNbSe2分散在去离子水中，通惰性气体保护，超声剥离得到分散的超薄二维高导电率氢化HxNbSe2纳米片。本发明选用高导电性层状NbSe2金属材料，利用Li离子进行插层扩大了NbSe2层间距，便于剥离成为超薄纳米片；又充分利用了水中H离子置换Li离子，实现电子注入，进一步提高纳米片载流子浓度和导电率，从而得到了高导电率的氢化NbSe2纳米片并可以进一步组装得到薄膜。本发明方法简单，产率高，结构保存完好，组装成二维薄膜便于转移，导电性高，循环稳定性良好。

主权项

1.一种二维高导电率氢化NbSe₂纳米片的制备方法，其特征在于，包括：A)将层状NbSe₂块材浸入锂源溶液反应，得到前驱物Li_xNbSe₂；B)将Li_xNbSe₂分散在去离子水中，通惰性气体保护，超声剥离得到分散的超薄二维高导电率氢化H_xNbSe₂纳米片。