[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910492992.7 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110233158B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 谢志峰 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一承载面和第二承载面；在所述第二承载面上形成器件层；提供第二衬底，所述第二衬底具有相对的第一表面和第二表面；在所述第二衬底内形成焊盘结构，所述焊盘结构自第一表面贯穿至第二表面；在形成所述器件层和所述焊盘结构之后，将所述第一表面朝向所述第一衬底键合所述第一衬底和第二衬底，使所述焊盘结构与所述器件层电连接。本发明有助于缩短形成半导体结构的工艺时间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一承载面和第二承载面；在所述第二承载面上形成器件层；提供第二衬底，所述第二衬底具有相对的第一表面和第二表面；在所述第二衬底内形成焊盘结构，所述焊盘结构自第一表面贯穿至第二表面；在形成所述器件层和所述焊盘结构之后，将所述第一表面朝向所述第一衬底键合所述第一衬底和第二衬底，使所述焊盘结构与所述器件层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
