[发明专利]一种n型半导体表面修饰p型氧化镍异质结光电材料的制备方法

摘要

本发明提供了一种n型半导体表面修饰p型氧化镍（NiO）异质结光电材料的制备方法，所属的方法包括：选择合适Ni前驱源和O前驱源，通过调控生长温度和沉积工艺，在n型半导体材料表面修饰薄层p型NiO，从完成异质结半导体光电材料的制备。所涉及的表面修饰技术在不改变n型半导体材料的微观结构的前提下，能够极大提高载流子的分离效率，从而提高材料的光电流密度和光光电化学性能及稳定性。

主权项

1.一种n型半导体表面修饰p型NiO异质结光电材料的制备方法，其特征在于，选择合适的Ni前驱源和O前驱源，将n型半导体材料放入原子层沉积系统腔体内，加热至一定温度范围，在低真空环境下，以高纯氮为载流气体，通过重复镍前驱源和氧前驱源沉积组合实现一定厚度p型NiO的制备，包括如下步骤：1）将n型半导体放入原子城沉积系统腔体内，将腔体升温至特定温度范围；在低真空环境下，以高纯氮为载流气体，通过重复Ni前驱源和O前驱源沉积组合实现p型NiO沉积，Ni前驱源和O前驱源的沉积组合为2次镍前驱源和1次氧前驱源，沉积组合方式为镍前驱源脉冲/高纯氮冲洗/镍前驱源脉冲/高纯氮清洗/氧前驱源脉冲/高纯氮清洗；或者，1次镍前驱源和2次氧前驱源，沉积组合方式为镍前驱源脉冲/高纯氮冲洗/氧前驱源脉冲/高纯氮清洗/氧前驱源脉冲/高纯氮清洗；2）Ni前驱源沉积时的载气流量为150sccm，脉冲持续时间为2‑4 s,高纯氮冲洗时间为4‑6s；O前驱源沉积时的载气流量为200sccm，脉冲持续时间为2‑5s;高纯氮冲洗时间为4‑8s。