[发明专利]一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法有效
| 申请号： | 201910493496.3 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110187251B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 郭红霞;郝蕊静;琚安安;潘霄宇;秦丽;郭维新;张凤祁;钟向丽;欧阳晓平;董世剑;李波 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 411105 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，当高能核辐射与半导体材料相互作用时,会将一些原子从其原始的位置转移到半导体晶格中。这种辐射诱导的在晶体中形成位移损伤的现象可能会导致设备性能的变化。而器件中的1/f噪声与缺陷的分布及能级变化密切相关，采用合适的噪声模型，能够提取电活性陷阱的浓度、空间位置和能量分布等关于器件可靠性相关的大量信息，从而获得位移损伤缺陷能级的相关数据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 频率 噪声 分析 位移 损伤 缺陷 能级 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一、选用辐照源对GaN HEMT样品器件进行辐照实验；步骤二、辐照后对样品器件进行低频噪声测试，得到噪声功率密度谱；步骤三、根据噪声功率密度谱，计算得到位移损伤造成的缺陷能量分布。
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