[发明专利]一种具有高功率的VCSEL芯片及其制备方法有效
申请号: | 201910495765.X | 申请日: | 2019-06-10 |
公开(公告)号: | CN110165552B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 田宇;韩效亚;吴真龙;杜石磊 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/34;H01S5/343 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: |
本发明提供一种具有高功率的VCSEL芯片及其制备方法,芯片包括:沿生长方向依次生长的衬底、N型DBR层、有源层和P型DBR层,所述有源层包括沿生长方向依次生长的第一InGaAs阱层、第一(In |
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搜索关键词: | 一种 具有 功率 vcsel 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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