[发明专利]一种高浓度MoS2纳米片的制备方法在审
| 申请号： | 201910499120.3 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110203973A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 蒋连福;董文英 | 申请（专利权）人： | 南京倍格电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京泰普专利代理事务所(普通合伙) 32360 | 代理人： | 窦贤宇 |
| 地址： | 211100 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高浓度MoS2纳米片的制备方法，属于生物纳米材料的技术领域。具体包括以下步骤：步骤S1：将一定量的二硫化钼多晶粉末或二硫化钼单晶块体加入到密闭的蓝盖超声瓶中，随后向蓝盖超声瓶中加入一定量的极性溶剂，形成溶液体系；步骤S2：对蓝盖超声瓶中的溶液体系进行惰性气体鼓泡处理；步骤S3：将蓝盖超声瓶放置到超声波清洗机中进行超声处理，超声处理时在超声波清洗机加入冰块造成低温环境，起到冰浴降温的效果，得到墨绿色MoS2纳米片分散液；步骤S4：墨绿色MoS2纳米片分散液进行分离。本发明利用溶剂与溶质之间的分散性选用超声剥离法制备高浓度MoS2纳米片，获得剥离率高、高稳定性、保持块体半导体性质的纳米片分散液。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米片 超声 分散液 墨绿色 超声波清洗机 超声处理 二硫化钼 溶液体系 制备 生物纳米材料 半导体性质 超声剥离 单晶块体 低温环境 多晶粉末 惰性气体 高稳定性 极性溶剂 分散性 冰块 密闭 溶剂 冰浴 鼓泡 块体 溶质 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种高浓度MoS2纳米片的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤S1：将一定量的二硫化钼多晶粉末或二硫化钼单晶块体加入到密闭的蓝盖超声瓶中，随后向蓝盖超声瓶中加入一定量的极性溶剂，形成溶液体系；步骤S2：对蓝盖超声瓶中的溶液体系进行惰性气体鼓泡处理；步骤S3：将蓝盖超声瓶放置到超声波清洗机中进行超声处理，超声处理时在超声波清洗机加入冰块造成低温环境，起到冰浴降温的效果，得到墨绿色MoS2纳米片分散液；步骤S4：墨绿色MoS2纳米片分散液进行分离，得到干净的MoS2纳米片；其中，所述步骤S3中超声处理后的沉降率Sb与超声处理的时间t、超声处理的功率P之间满足以下关系：![]()
其中，ρf为极性溶剂的密度，T为超声处理时清洗机中液体的温度，此处T＝0℃，t为超声时间，σ为极性溶剂。
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