[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

摘要

本发明提供一种以高灵敏度检测基片与载置台剥离的技术。在真空容器内具有用于载置基片的载置台，在设置于载置台的电介质层内彼此隔开间隔地形成第一静电吸附电极和第二静电吸附电极。第一静电吸附电极静电吸附载置于载置台的基片的周缘部，第二静电吸附电极静电吸附载置于载置台的基片的中央部。从第一直流电源和第二直流电源分别对第一静电吸附电极和第二静电吸附电极施加与预先设定的电压设定值对应的直流电压。由电压测量部测量施加到第一静电吸附电极的直流电压，由剥离检测部在测量出的直流电压超过了预先设定的阈值时，检测为使用第一静电吸附电极来静电吸附着的基片发生了剥离。

主权项

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n设置在真空容器内的用于载置作为处理对象的基片的载置台，其中所述真空容器用于对基片进行使用处理气体的基片处理；/n在设置于所述载置台的电介质层内形成的第一静电吸附电极，所述第一静电吸附电极为了静电吸附载置于所述载置台的基片的周缘部而与所述周缘部的平面形状相应地设置；/n在设置于所述载置台的电介质层内与所述第一静电吸附电极隔开间隔地形成的第二静电吸附电极，所述第二静电吸附电极形为了静电吸附载置于所述载置台的基片的中央部而与所述中央部的形状相应地设置；/n第一直流电源和第二直流电源，其对所述第一静电吸附电极和所述第二静电吸附电极分别施加与预先设定的电压设定值对应的直流电压；/n测量施加到所述第一静电吸附电极的直流电压的电压测量部；和/n剥离检测部，当由所述电压测量部测量出的直流电压超过了预先设定的阈值时，其检测为使用所述第一静电吸附电极来静电吸附着的基片发生了剥离。/n