[发明专利]一种双二极管ESD保护电路

摘要

本发明提出了一种双二极管ESD保护电路，包括高端二极管、低端二极管、ESD主通路和寄生PNP三极管。所述高端二极管阳极、低端二极管阴极和寄生PNP三极管发射极与待保护电路IO相连，所述高端二极管阴极、ESD主通路正极和寄生PNP三极管基极与待保护电路VDD相连，所述低端二极管阳极、ESD主通路负极和寄生PNP三极管集电极与待保护电路GND相连。本发明通过寄生PNP三极管释放IO对GND的ESD电流，即增加了一条IO对GND的ESD电流释放路径，相比相同面积的双二极管ESD保护电路，有效地提高了电路的失效电流。

主权项

1.一种双二极管ESD保护电路，包括高端二极管、低端二极管和ESD主通路，所述高端二极管阳极和低端二极管阴极与待保护电路IO相连，所述高端二极管阴极和ESD主通路正极与待保护电路VDD相连，所述低端二极管阳极和ESD主通路负极与待保护电路GND相连，所述高端二极管用于释放待保护电路IO对VDD的ESD电流，所述低端二极管用于释放待保护电路GND对IO的ESD电流；所述ESD主通路用于释放待保护电路VDD对GND的ESD电流；其特征在于：还包括寄生PNP三极管，所述寄生PNP三极管的发射极与待保护电路IO相连，基极与待保护电路VDD相连，集电极与待保护电路GND相连。