[发明专利]一种薄膜生长组件、方法和LED制备方法有效
| 申请号： | 201910501546.8 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110176524B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王爱民;程伟;尧刚;卓祥景 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨华 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜生长组件、方法和LED制备方法，包括靶材和保护罩，所述保护罩可拆卸地安装在所述靶材上，且所述保护罩与所述靶材形成一密闭腔体，以将所述靶材的溅射面封闭在所述密闭腔体内。本发明中，采用AlGa合金靶材在N2氛围下生长了AlGaN薄膜作为LED器件的缓冲层，与ALN缓冲层相比，采用AlGa合金靶材在衬底表面制作的AlGaN缓冲层，可以有效改善后续形成的GaN薄膜的晶格应力，提高LED器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 生长 组件 方法 led 制备 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜生长组件，其特征在于，包括靶材和保护罩，所述保护罩可拆卸地安装在所述靶材上，且所述保护罩与所述靶材形成一密闭腔体，以将所述靶材的溅射面封闭在所述密闭腔体内。
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