[发明专利]填埋式三维金属-氧化物场效应晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201910501589.6 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN112071758A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 刘佑铭;曾伟雄 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种填埋式三维金属‑氧化物场效应晶体管及制备方法，制备方法包括：1)提供一半导体衬底，于所述半导体衬底中刻蚀出至少一个沟槽；2)于所述沟槽表面及所述半导体衬底表面形成栅介质层，于所述栅介质层上形成栅电极层，并刻蚀所述栅电极层及栅介质层以形成栅结构，所述栅结构与所述沟槽交叉；3)于所述栅结构两侧的半导体衬底中形成源区及漏区，所述沟槽与所述源区及漏区连接或交叠。本发明在源区及漏区之间的栅极下方形成沟槽，将栅极的沟道由二维变三维，可在不改变沟道长度的前提下增大栅沟道宽度，提高MOSFET的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 填埋式 三维 金属 氧化物 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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