[发明专利]半导体工艺所用的方法在审

申请号：	201910501892.6	申请日：	2019-06-11
公开（公告）号：	CN110600368A	公开（公告）日：	2019-12-20
发明（设计）人：	李溢芸;赵晟博;于雄飞;张哲豪;黄才育;张惠政;陈弘耀	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28;H01L21/336
代理公司：	72003 隆天知识产权代理有限公司	代理人：	王宇航;黄艳
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;TW
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摘要：	本发明所述的实施例涉及半导体工艺所用的方法，具体涉及形成装置的栅极结构，比如置换栅极工艺与其形成的装置。在一些例子中，沉积界面介电层与栅极介电层之后，可在控制下的含氮环境中进行快速退火工艺如激光退火或闪光灯退火工艺，以形成氮化部分于栅极介电层中。氮化部分可钝化栅极介电层表面的缺陷，并可作为阻障以避免蚀刻化学剂与来自后续栅极堆叠层的缺陷/掺质影响或扩散穿过栅极介电层。具体而言，毫秒等级的快速热退火工艺可限制氮原子在栅极介电层中，而不会扩散至下方的界面介电层及/或任何相邻的结构如鳍状物。
搜索关键词：	栅极介电层界面介电层氮化半导体工艺快速热退火蚀刻化学剂栅极堆叠层扩散激光退火快速退火退火工艺形成装置栅极工艺栅极结构氮环境氮原子闪光灯鳍状物掺质钝化沉积置换穿过
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【主权项】：

1.一种半导体工艺所用的方法，包括：/n顺应性地形成一栅极介电层于自一基板延伸的一鳍状物上，且该栅极介电层顺应性地沿着该鳍状物上的多个栅极间隔物的多个侧壁；/n在一含氨环境中采用一激光退火工艺或一闪光灯退火工艺以氮化该栅极介电层；以及/n形成一或多个含金属层于该栅极介电层上。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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