[发明专利]一种金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910504642.8 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110212036A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 孙松 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种金属氧化物薄膜晶体管器件，所述金属氧化物薄膜晶体管器件包括：基板；栅极，设置在所述基板上；绝缘层，沉积在所述栅极上；有源层，覆盖于所述绝缘层上，所述有源层上设置有源极和漏极，所述有源层采用的材料为掺杂锂元素的氧化锌铟；封装层，沉积于所述源极和所述漏极上，以将所述源极和漏极与外部绝缘隔离。本申请还公开了一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制作方法。本申请通过采用掺杂锂元素的氧化锌铟制备有源层，掺杂的锂元素可以置换掉有源层中的锌，降低了有源层的载流子浓度，提高了金属氧化物TFT器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 源层 金属氧化物薄膜晶体管 锂元素 漏极 源极 绝缘层 氧化锌铟 基板 沉积 载流子 掺杂 申请 金属氧化物TFT 外部绝缘 掺杂的 封装层 制备 制作 置换 隔离 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物薄膜晶体管器件，其特征在于，所述金属氧化物薄膜晶体管器件包括：基板；栅极，设置在所述基板上；绝缘层，沉积在所述栅极上；有源层，覆盖于所述绝缘层上，所述有源层上设置有源极和漏极，所述有源层采用的材料为掺杂锂元素的氧化锌铟；封装层，沉积于所述源极和所述漏极上，以将所述源极和漏极与外部绝缘隔离。
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