[发明专利]真空处理装置、真空处理系统和真空处理方法有效
| 申请号： | 201910505293.1 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110610873B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 山岸孝幸;小林民宏 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种有利于真空处理装置的小型化和简单化有利的技术。在真空处理装置的处理容器内中，在彼此相邻的位置，第一输送空间和第二输送空间在水平方向延伸设置，并且，沿上述延伸设置方向在第一输送空间与第二输送空间之间形成中间壁部。在第一输送空间沿延伸设置方向配置1个以上的上述处理空间，在第二输送空间沿延伸设置方向配置2个以上的上述处理空间。而且，在中间壁部内形成有：对上述3个以上的处理空间分别设置的排气通路和上述排气通路在其中合流的合流排气通路。在处理容器内设置合流排气通路，因此能够实现真空处理装置的小型化和简单化。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 装置 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种真空处理装置，其对配置于真空气氛的处理空间的基片供给处理气体以进行真空处理，所述真空处理装置的特征在于，包括：/n用于输送所述基片的第一输送空间和第二输送空间，其形成在进行所述真空处理的处理容器内的彼此相邻的位置，并且各自从形成于所述处理容器的侧面的送入送出口在水平方向延伸设置；和/n沿所述延伸设置方向形成于所述第一输送空间与第二输送空间之间的中间壁部，/n在所述第一输送空间沿所述延伸设置方向配置1个以上的所述处理空间，在所述第二输送空间沿所述延伸设置方向配置2个以上的所述处理空间，/n在所述中间壁部内形成有：对隔着该中间壁部配置的3个以上的处理空间分别设置的排气通路；和合流排气通路，所述排气通路在其中合流。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
