[发明专利]成膜装置有效
申请号: | 201910505338.5 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN110592558B | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 岩下伸也;铃木步太;进藤崇央;传宝一树;松土龙夫;森田靖;菊地贵伦;守屋刚 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455;C23C16/40;C23C16/50 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置,能够将在同一成膜装置中形成的薄膜的膜质控制为多种多样的膜质。本公开的成膜装置具备:能够进行真空排气的处理容器、下部电极、上部电极、气体供给部、电压施加部以及切换部。在处理容器内,在下部电极载置被处理基板。在处理容器内,上部电极与下部电极相向地配置。气体供给部将用于在上部电极与下部电极之间的处理空间进行等离子体化的成膜原料气体供给到处理空间。电压施加部具有高频电源和直流电源,并向上部电极施加从高频电源和直流电源中的至少一方输出的电压。切换部将向上部电极施加的电压在从高频电源输出的高频电压、从直流电源输出的直流电压、以及将直流电压叠加于高频电压所得到的叠加电压之间进行切换。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
1.一种成膜装置,具备:/n处理容器,其能够进行真空排气;/n下部电极,其在所述处理容器内载置被处理基板;/n上部电极,其在所述处理容器内与所述下部电极相向地配置;/n气体供给部,其将用于在所述上部电极与所述下部电极之间的处理空间进行等离子体化的成膜原料气体供给到所述处理空间;/n电压施加部,其具有高频电源和直流电源,并向所述上部电极施加从所述高频电源和所述直流电源中的至少一方输出的电压;以及/n切换部,其将向所述上部电极施加的电压在从所述高频电源输出的高频电压、从所述直流电源输出的直流电压、以及将所述直流电压叠加于所述高频电压所得到的叠加电压之间进行切换。/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的