[发明专利]一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法在审
| 申请号： | 201910508094.6 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110323332A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 赵晓宁;王中强;丁文涛;林亚;徐海阳;刘益春 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 梅洪玉 |
| 地址： | 130024 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法，属于微电子器件领域。该方法预先利用微小电流作用于非晶碳忆阻器，能够诱导非晶碳内部sp2杂化团簇团聚，增强薄膜内部局域电场，进而降低非晶碳忆阻器初始形成电压、降低导电通道随机性，从而提升非晶碳忆阻器阻变可靠性。本发明提供了一种设备操作简便、CMOS工艺兼容的忆阻器性能优化方法，该方法能够有效降低非晶碳忆阻器件的形成电压，显著降低器件阻变参数波动，明显提升器件阻变耐受性，有利于突破忆阻器件集成应用技术壁垒，利于商业化推广实用。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶碳 忆阻器 耐受性 随机性 微电子器件 电场 导电通道 降低器件 器件集成 设备操作 提升器件 微小电流 性能优化 应用技术 增强薄膜 变参数 团簇 诱导 壁垒 兼容 团聚 | ||
【主权项】：
1.一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法，其特征在于，步骤如下：A、以非晶碳为阻变层制备非晶碳忆阻器；B、将制备得到的非晶碳忆阻器连接到电路中；C、对非晶碳忆阻器施加一个微小电流，使微小电流流过非晶碳忆阻器；D、对非晶碳忆阻器施加正向偏压，完成非晶碳忆阻器的电元初始化过程；E、使用源表施加反向偏压，完成非晶碳忆阻器关闭过程；F、经D、E步骤后，使用源表反复施加正向偏压、反向偏压，实现非晶碳忆阻器的开启与关闭过程。
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