[发明专利]一种提高钕铁硼晶界扩散深度的方法有效
| 申请号： | 201910508350.1 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110120297B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏;周军;孙红军;宋伟;翟厚勤;刘军 | 申请（专利权）人： | 中钢天源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;C21D1/18 |
| 代理公司： | 马鞍山市金桥专利代理有限公司 34111 | 代理人： | 鲁延生 |
| 地址： | 243000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于磁性材料技术领域，具体涉及一种提高钕铁硼晶界扩散深度的方法，包括如下步骤：预处理；均匀涂层；热处理工艺；本发明特点在于通过先低温保温，让渗材进入富钕相中，再通过逐步提高扩散温度，保证在渗材较少量的进入主相的前提下，尽可能的让渗材扩散至磁体的中心部位，最后通过提高扩散温度，让富钕相中的渗材进入钕铁硼主相晶粒的外延层，从而提高钕铁硼主相晶粒的形核场，即提高产品矫顽力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 钕铁硼晶界 扩散 深度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高钕铁硼晶界扩散深度的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)预处理：将切片的钕铁硼磁体除油去污处理，再通过稀硝酸酸洗并烘干；(2)均匀涂层：将钕铁硼磁体表面涂敷一层20mg/cm2～30mg/cm2厚的均匀渗材涂层；(3)热处理工艺：第一次回火：将涂敷渗材涂层的钕铁硼磁体放入高真空烧结炉内热处理，从常温经过0.5～1.5小时升温到400～500℃保温3～5h；再经过1.5～3小时升温至800～820℃，保温3～5小时；再依次经过10～30min升温10～30℃，每次升温后保温3～5小时，直至升温至900～1000℃保温1～3h；第二次回火：结束第一次回火后风冷至50℃以下，再经过1～2h升温到450～550℃并保温2～4h完成第二次回火，得到目标产品。
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