[发明专利]一种DRAM列选择驱动电路及其降低漏电的方法在审
| 申请号： | 201910508450.4 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110211615A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 杜艳强;吴君;张学渊;朱光伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汇峰微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4094 | 分类号： | G11C11/4094;G11C11/4074;G11C11/4078 |
| 代理公司： | 苏州广恒知识产权代理事务所(普通合伙) 32334 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种DRAM列选择驱动电路，包括列选择驱动模块和电源控制模块，所述的电源控制模块的输出与多个所述的列选择驱动模块的电源输入相连，其中，所述的列选择驱动模块包括相连接的列地址选择电路和输出驱动电路。通过上述方式，本发明提供的DRAM列选择驱动电路及其降低漏电的方法，电路结构简单，设计合理，能够有效地降低DRAM列选择驱动电路在待机模式下的漏电，通过控制待机模式下的输出驱动电路的第一电源电压vss_col和第二电源电压vdd_col，来消除输出驱动电路里的晶体管的源漏两端的跨压，从而达到降低其漏电电流的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 列选择 驱动电路 输出驱动电路 漏电 驱动模块 电源控制模块 电源电压 在待机模式 待机模式 电路结构 电源输入 漏电电流 选择电路 列地址 有效地 晶体管 跨压 源漏 输出 | ||
【主权项】：
1.一种DRAM列选择驱动电路，其特征在于，包括列选择驱动模块和电源控制模块，所述的电源控制模块的输出与多个所述的列选择驱动模块的电源输入相连，其中，所述的列选择驱动模块包括相连接的列地址选择电路和输出驱动电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州汇峰微电子有限公司，未经苏州汇峰微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910508450.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
