[发明专利]减小深度休眠模式下LPDRAM的静态功耗电路在审

专利信息
申请号: 201910508468.4 申请日: 2019-06-13
公开(公告)号: CN110164495A 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 吴君;杜艳强;张学渊;朱光伟 申请(专利权)人: 苏州汇峰微电子有限公司
主分类号: G11C11/4074 分类号: G11C11/4074
代理公司: 苏州广恒知识产权代理事务所(普通合伙) 32334 代理人: 张利强
地址: 215000 江苏省苏州市工业园区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种减小深度休眠模式下LPDRAM的静态功耗电路,包括LPDRAM的第一门控电路、第二门控电路和命令控制模块,所述的第一门控电路产生内部第一核心电源VDD1I,所述的第二门控电路分别产生内部第二核心电源VDD2I和数据I/O驱动电路电源VDDQI,所述的命令控制模块产生深度休眠使能信号DPD。通过上述方式,本发明提供的减小深度休眠模式下LPDRAM的静态功耗电路,采用两种电源门控电路,可以在深度休眠模式下关掉绝大部分使用内部第一核心电源和内部第二核心电源的器件,减少整个LPDRAM的静态漏电流。
搜索关键词: 深度休眠模式 核心电源 门控电路 静态功耗 减小 命令控制模块 电路 电源门控电路 静态漏电流 驱动电路 使能信号 数据I/O 休眠 电源
【主权项】:
1.一种减小深度休眠模式下LPDRAM的静态功耗电路,其特征在于,包括LPDRAM的第一门控电路、第二门控电路和命令控制模块,所述的第一门控电路产生内部第一核心电源VDD1I,所述的第二门控电路分别产生内部第二核心电源VDD2I和数据I/O驱动电路电源VDDQI,所述的命令控制模块产生深度休眠使能信号DPD;所述的第一门控电路包括电平转换器、第一反相器、第二反相器、第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,所述的电平转换器的输出接到第一反相器的输入,第一反相器的输出接到第二反相器的输入,第二反相器的输出接到第一PMOS晶体管的栅端和第一NMOS晶体管的栅端,第一PMOS晶体管的源端接到第一核心电源信号,第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的漏端相互连接,作为内部第一核心电源VDD1I的驱动信号;所述的第二门控电路包括第三反相器,第四反相器,第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管,所述的第三反相器的输出接到第四反相器的输入,第四反相器的输出接到第二PMOS晶体管的栅端和第二NMOS晶体管的栅端,第二NMOS晶体管的源端接地,第二NMOS晶体管的漏端与第二PMOS晶体管的漏端相互连接,并作为内部第二核心电源VDD2I的驱动信号。
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