[发明专利]异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法及太阳能叠层电池在审
申请号: | 201910509075.5 | 申请日: | 2019-06-13 |
公开(公告)号: | CN110400882A | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 丁蕾;唐泽国 | 申请(专利权)人: | 北京宏泰创新科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/24;C23C16/24;C23C16/50 |
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地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法及太阳能叠层电池,包括:在钙钛矿顶电池功能层上采用第一溅射法制备第一导电层,在所述第一导电层上采用第二溅射法制备第二导电层,第一溅射法的功率小于第二溅射法的功率。本发明所采用的分步溅射法制备导电层,可以更好的保护钙钛矿顶电池功能层,不至于因为溅射功率过大而被击穿,提高了电池整备的整体良率;并且,采用本方法所制备的钙钛矿太阳能叠层电池稳定性得以提高,光电转换效率可达20.19%。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿 叠层电池 溅射 制备 太阳能 第一导电层 太阳能电池 顶电池 功能层 溅射法 异质结 光电转换效率 第二导电层 溅射功率 导电层 击穿 良率 电池 | ||
【主权项】:
1.一种异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:在钙钛矿顶电池的功能层上采用第一溅射法制备第一导电层;在所述第一导电层上采用第二溅射法制备第二导电层,所述第一溅射法的溅射功率小于所述第二溅射法的溅射功率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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