[发明专利]一种提高氮化硅钝化性能的方法在审
| 申请号： | 201910509923.2 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110137312A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 徐冠超 | 申请（专利权）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213022 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高氮化硅钝化性能的方法，包括以下步骤：a.在氮化硅沉积完成以后，太阳电池半成品继续留在反应腔体内；b.在反应腔体内停止通入硅烷，使用等离子微波源对氮化硅进行轰击。所述等离子微波源的功率为6400w，轰击时间为240s。本发明中在氮化硅沉积后进行等离子轰击，并不会影响电池的抗PID性能，并且在管式PECVD和板式PECVD机台中得到的效果几乎相同，对PERC电池效率均有有0.05％以上的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅沉积 氮化硅钝化 等离子 反应腔 微波源 轰击 体内 机台 等离子轰击 板式 电池效率 影响电池 氮化硅 管式 硅烷 半成品 | ||
【主权项】：
1.一种提高氮化硅钝化性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在氮化硅沉积完成以后，太阳电池半成品继续留在反应腔体内；b.在反应腔体内停止通入硅烷，使用等离子微波源对氮化硅进行轰击。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
